Iskalni niz:
išči po
išči po
išči po
išči po
Vrsta gradiva:
Jezik:
Št. zadetkov: 1
Izvirni znanstveni članek
Oznake: radiacija;vesolje;kontrolerji;aplikacije;bit error rate;flkash memories;memory controller;mixed field facility;multilevel cell;MLC;radiation hardness;single-event upsets;SEUs;space applications;total ionizing dose;
This article presents the results of dynamic measurements of 3-D multilevel cell (MLC) NAND flash memories in a mixed-field radiation facility CERN High-energy AcceleRator Mixed field/facility (CHARM), CERN. The results show that the behavior of devices is comparable to tests with specific high ener ...
Leto: 2024 Vir: Fakulteta za elektrotehniko, računalništvo in informatiko (UM FERI)
Št. zadetkov: 1
Ključne besede:
Leto izdaje:
Avtorji:
Repozitorij:
Tipologija:
Jezik: